惠州场效应管

（四）发光二极管的检测

 1．性能好坏的判断

  用万用表R×10k档，测量发光二极管的正、反向电阻值。正常时，正向电阻值（黑表笔接正极时）约为10~20kΩ，反向电阻值为250kΩ~∞（无穷大）。较高灵敏度的发光二极管，在测量正向电阻值时，管内会发微光。若用万用表R×1k档测量发光二极管的正、反向电阻值，则会发现其正、反向电阻值均接近∞（无穷大），这是因为发光二极管的正向压降大于（高于万用表R×1k档内电池的电压值）的缘故。

  用万用表的R×10k档对一只220μF/25V电解电容器充电（黑表笔接电容器正极，红表笔接电容器负极），再将充电后的电容器正极接发光二极管正极、电容器负极接发光二极管负极，若发光二极管有很亮的闪光，则说明该发光二极管完好。

  也可用3V直流电源，在电源的正极串接1只33Ω电阻后接发光二极管的正极，将电源的负极接发光二极管的负极（见图4-74），正常的发光二极管应发光。或将1节电池串接在万用表的黑表笔（将万用表置于R×10或R×100档，黑表笔接电池负极，等于与表内的电池串联），将电池的正极接发光二极管的正极，红表笔接发光二极管的负极，正常的发光二极管应发光。

肖特基二极管利用金属与半导体接触所形成的势垒对电流进行控制。惠州场效应管

肖特基二极管电路     *

稳压二极管在电路中常用“ZD”加数字表示，如：ZD1表示编号为1的稳压管。

  正负极识别

  从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，测量的方法与普通二极管相同，即用万用表R×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。

8050三极管报价稳压二极管在使用时是反向并联在负载两端的，如果输入的电压没有超过其稳压值。

S8050是一款NPN小功率三极管，数据手册上给出的Vceo大约为25V，Vcbo为40V，而Vebo只有6V。下面是测量一个实际S8050三级的Vceo,V cbo的反向击穿电压电流曲线：

S8050 Vceo:大约45V

S8050 Vcbo:大约115V

可以看出Vcbo比Vceo大了将近三倍。如果**从三极管的符号上来看，这个结果的确非常令人难以理解。因为Vcbo是测量集电极到基极之间的PN节反向击穿电压；Vceo看似是在C、B之间增加了一个B、E的正向导通的PN节，为何Vceo反而比Vcbo小了那么多呢？

具体原因就不再这儿展开讨论了。如果你感兴趣可以参见相关资料来进行分析。

通常情况下，三极管都是工作了电路中，不会有任何一个电极是悬空的。此时，三极管的耐压就和手册给定的击穿电压不同。

下面是在B、E之间连接一个偏置电阻，重新测量C、E之间的击穿电压。

稳压二极管在参数选择时，首先需要确定稳压值，这个与负载电路有关，由于稳压二极管并不是每个电压值都有，并且稳压值会存在一定的离散性，所以在选择稳压值时，可以根据负载的情况选择接近的稳压值，比如5V的负载可以选择的稳压二极管。

确定了稳压二极管的稳压值之后，需要确定分压电阻的阻值。在这里的电阻主要起到两个作用：一个是提供稳压二极管的工作电流，另一个是限制稳压二极管的比较大电流。稳压二极管的电流低时，无法起到正常的稳压作用，过高会出现长久击穿。计算电阻的阻值，需要首先确定两个值，一个是输入的电压范围，另一个是负载电流的变化范围，还有另外的两个参数**小电流以及比较大电流，这个可以在稳压二极管的技术手册中查到。

假设输入电压的范围为15V-18V，负载电流变化范围为5-15mA，输出稳压值为12V，稳压二极管的**小电流为，比较大电流为50mA。

根据公式计算：（18V-12V）/（50mA+5mA）

以上是稳压二极管使用时需要确定和计算的几个参数，应该特别主要的是，稳压二极管在使用时是不可以不串联电阻而直接并联在负载上使用的，这样在输入电压超过其稳压值时，不但不会起到稳压作用，还会引起发热损坏。

正、反向电阻值的测量 用万用表R×1k或R×10k档，测量双向触发二极管正、反向电阻值。

高压硅堆的检测

  高压硅堆内部是由多只高压整流二极管（硅粒）串联组成，检测时，可用万用表的R×10k档测量其正、反向电阻值。正常的高压硅堆，其正向电阻值大于200kΩ，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向均有一定电阻值，则说明该高压硅堆已软击穿损坏。

变阻二极管的检测

  用万用表R×10k档测量变阻二极管的正、反向电阻值，正常的高频变阻二极管的正向电阻值（黑表笔接正极时）为Ω，反向电阻值为无穷大。若测得其正、反向电阻值均很小或均为无穷大，则说明被测变阻二极管已损坏。

变容二极管是利用 PN结的电容随外加偏压而变化这一特性制成的非线性电容元件，被***地用于参量放大器.深圳可控硅管

TVS(Transient Voltage Suppressor) 或称瞬态***二极管，是在稳压管工艺基础上发展起来的一种新产品.惠州场效应管

8550参数是一款PNP型的三极管，它的数据手册给出的各极性击穿电压为：

Vcbo:40V；Vceo:25V；Vbeo:5V。下面是它对应的击穿电压曲线。对应的实测电压都比数据手册上大了一倍左右。

8550的不同极之间的击穿电压曲线

C1815是一款NPN型双极型三极管，数据手册给出的耐压数据为：Vcbo:60V; Vceo:50V；Vebo: 5V。下面是对应的测量耐压曲线。

C1815各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线

2SC2383是NPN型**率双极性三极管。数据手册给出的耐压极限数据为：

Vcbo:160V；Vceo: 160V；Vebo:160V。下面是相应的反向击穿电压测量曲线：

2SC2383各个端口之间的反向击穿电压-电流曲线

如果三极管的耐压不够，往往不能够通过三极管的串联来提高它的耐压等级。这主要是因为三极管是受控器件，串联之后的三极管在施加控制信号方面相对比较困难。

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