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单结晶体管极性的判断

单结晶体管极性的判断方法常有两种，一种是从外观来看，另一种是用万用表来测量。

（1）外观判断法。从外观上看，引脚与外壳相通的电极，一般是b1极；与凸耳相靠近的电极一般为e极，如图5-8所示。

（2）万用表判断法

1）发射极e的判断

单结晶体管，也叫双基极二极管，有e、b1、b2三个电极，其三个管脚的极性可用万用表的R×1K挡来进行判断。测任意两个管脚的正向电阻和反向电阻，直到测得的正反向电阻都基本不变时（一般约10KΩ～30 KΩ，不同型号的管阻值有差异），这两个管脚就是两个基极，剩下的另一个管脚就是发射极e。

2）b1、b2电极的判断

在判断出发射极e的基础上，万用表量程置于R×1K挡，黑表笔发射极，红表笔分别接另外两个极，万用表两次均会导通，两次测量中，电阻大的一次，红表笔接的就是单结晶体管的b1极。

晶体三极管按结构粗分有npn型和pnp型两种类型.惠州参数晶体管

芯片有数十亿晶体管，光刻机多久能做好一枚芯片？    *

我们的手机和电脑里都是安装了各种类型的芯片，芯片本身是由数以亿计的晶体管组成的，而芯片是在硅晶圆的基础上一步一步制造出来的，而且这个过程非常复杂，涉及到光刻、离子注入、蚀刻、曝光等一系列步骤，由于芯片对硅晶圆的纯度和光刻精度要求非常高，所以这都需要各类**高精尖的设备才能进行，如果有杂质和误差问题，那么芯片也就无法正常工作。

所以说芯片当中数以亿计的晶体管都是在硅晶圆上用光刻机光刻或者蚀刻上去的，之后还要以类似的方法做上相应的电路和连线，从而才能保证晶体管的正常通电工作。当然，为了保证晶体管布局的准确无误，在芯片制造之前就必须把图纸或者电子图设计好，这往往需要相当长的时间，也需要经过多次验证和试产阶段，只有准确无误的将复杂无比的电路给到一颗颗晶体管上面，并且能保证正常工作才可以开始投产制造。

江苏半导体晶体管晶体管对芯片性能的影响与摩尔定律有关。

晶体管（transistor）是一种固体半导体器件，具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电讯号来控制自身的开合，而且开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

2016年，劳伦斯伯克利国家实验室的一个团队打破了物理极限，将现有的**精尖的晶体管制程从14nm缩减到了1nm，完成了计算技术界的一大突破。

严格意义上讲，晶体管泛指一切以半导体材料为基础的单一元件，包括各种半导体材料制成的二极管、三极管、场效应管、可控硅等。晶体管有时多指晶体三极管。

1) 基极有电流流动时。由于B极和E极之间有正向电压，所以电子从发射极向基极移动，又因为C极和E极间施加了反向电压，因此，从发射极向基极移动的电子，在高电压的作用下，通过基极进入集电极。于是，在基极所加的正电压的作用下，发射极的大量电子被输送到集电极，产生很大的集电极电流。

（2）基极无电流流动时。在B极和E极之间不能施加电压的状态时，由于C极和E极间施加了反向电压，所以集电极的电子受电源正电压吸引而在C极和E极之间产生空间电荷区，阻碍了从发射极向集电极的电子流动，因

而就没有集电极电流产生。

综上所述，在晶体三极管中很小的基极电流可以导致很大的集电极电流，这就是三极管的电流放大作用。此外，三极管还能通过基极电流来控制集电极电流的导通和截止，这就是三极管的开关作用（开关特性）。

凡采用所谓平面工艺来制作的晶体管，都称为平面晶体管。

单结晶体管的主要参数与极性的判断

1．单结晶体管的主要参数

（1）基极间电阻Rbb(即Rb1+Rb2)。其定义为发射极开路时，基极b1、b2之间的电阻，一般为（5~10）KΩ，其数值随温度上升而增大，不同型号的管阻值有较大的差异。

（2）分压比η。η=Rb1/(Rb1+Rb2),由管子内部结构决定的常数，一般为0.3--0.85。

（3）eb1间反向电压Vcb1。在b2开路时，在额定反向电压Vcb2下，基极b1与发射极e之间的反向耐压。

（4）反向电流Ieo。在b1开路时，在额定反向电压Vcb2下，eb2间的反向电流。

（5）发射极饱和压降Veo。在比较大发射极额定电流时，eb1间的压降。

（6）峰点电流Ip：单结晶体管刚开始导通时，发射极电压为峰点电压时的发射极电流。

场效应管与晶体管的比较!苏州测试仪晶体管

这个晶体三极管究竟是如何完成这神奇的功能的呢？惠州参数晶体管

晶体管因为有以下的优点，因此可以在大多数应用中代替真空管：

没有因加热阴极而产生的能量耗损，应用真空管时产生的橙光是因为加热造成，有点类似传统的灯泡。

体积小，重量低，因此有助于电子设备的小型化。

工作电压低，只要用电池就可以供应。

在供电后即可使用，不需加热阴极需要的预热期。

可透过半导体技术大量的生产。

放大倍数大。

平面晶体管

平面工艺是60年代发展起来的一种非常重要的半导体技术。该工艺是在Si半导体芯片上通过氧化、光刻、扩散、离子注入等一系列流程，制作出晶体管和集成电路。凡采用所谓平面工艺来制作的晶体管，都称为平面晶体管。

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